[发明专利]一种叠层式LED芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201310090781.3 | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103208567B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 汪洋 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种叠层式LED芯片的结构及其制造方法，所述叠层式LED芯片的制造方法，包括提供衬底；在所述衬底上形成第一层至第n层管芯，并在相邻层管芯之间形成透明导电层，n大于等于2；以及在第一层管芯上形成N电极，并在第n层管芯上形成P电极。这样，管芯之间不形成与管芯中PN结反向的PN结，避免了电压畸高的问题，使得同样面积的叠层式LED芯片可以相当于数个传统的LED芯片，达到提高光效的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 叠层式 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种叠层式LED芯片的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一层至第n层管芯，并在相邻层管芯之间形成透明导电层，n大于等于2；形成每一层透明导电层后，还包括：形成贯穿所述透明导电层的孔洞，以暴露出前一层管芯，后一层管芯以前一层管芯的晶格结构为模版生长，并使相邻的管芯之间直接相连；以及在第一层管芯上形成N电极，并在第n层管芯上形成P电极。
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