[发明专利]一种叠层式LED芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201310090781.3 | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103208567B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 汪洋 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 叠层式 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一种叠层式LED芯片的制造方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一层至第n层管芯，并在相邻层管芯之间形成透明导电层，n大于等于2；以及
在第一层管芯上形成N电极，并在第n层管芯上形成P电极。
2.如权利要求1所述的叠层式LED芯片的制造方法，其特征在于：形成每一层透明导电层后，还包括：
形成贯穿所述透明导电层的孔洞。
3.如权利要求2所述的叠层式LED芯片的制造方法，其特征在于：所述孔洞形状为圆形或正六边形。
4.如权利要求2或3所述的叠层式LED芯片的制造方法，其特征在于：所述孔洞均匀分布在透明导电层中。
5.如权利要求1所述的叠层式LED芯片的制造方法，其特征在于：所述透明导电层为ITO。
6.如权利要求1所述的叠层式LED芯片的制造方法，其特征在于：每一层管芯均包括：N型半导体层、多量子阱有源层和P型半导体层。
7.如权利要求6所述的叠层式LED芯片的制造方法，其特征在于：在第一层管芯上形成N电极，并在第n层管芯上形成P电极的步骤包括：
刻蚀所述第n层管芯至第一层管芯，以暴露出第一层管芯的N型半导体层；
在所述第n层管芯的P型半导体层上形成P电极，并在所述第一层管芯的N型半导体层上形成N电极。
8.如权利要求1所述的叠层式LED芯片的制造方法，其特征在于：其中n大于等于3。
9.一种叠层式LED芯片，包括：
衬底；
形成于所述衬底上的第一层至第n层管芯，其中n大于等于2；
形成于相邻层管芯之间的透明导电层；
形成于所述第一层管芯上的N电极；以及
形成于所述第n层管芯上的P电极。
10.如权利要求9所述的叠层式LED芯片，其特征在于：还包括：贯穿所述透明导电层的孔洞。
11.如权利要求10所述的叠层式LED芯片，其特征在于：所述孔洞形状为圆形或正六边形。
12.如权利要求10或11所述的叠层式LED芯片，其特征在于：所述孔洞均匀分布在透明导电层中。
13.如权利要求9所述的叠层式LED芯片，其特征在于：所述透明导电层为ITO。
14.如权利要求9所述的叠层式LED芯片，其特征在于：其中n大于等于3。
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