[发明专利]场效应晶体管以及包括其的半导体器件和集成电路器件有效
| 申请号： | 201310089305.X | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103325833B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 吴昌佑;姜明吉;金范洙;尹钟植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/08;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管以及包括其的半导体器件和集成电路器件。根据该场效应晶体管，源极区和漏极区被提供在衬底上以及鳍部被提供为从衬底突出。鳍部将源极区和漏极区彼此连接。栅电极图案设置在鳍部上并且延伸以交叉鳍部。栅电介质层设置在鳍部和栅电极图案之间。半导体层设置在鳍部和栅电介质层之间。半导体层和鳍部分别具有彼此不同的掺杂剂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 以及 包括 半导体器件 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：衬底；在所述衬底上的器件隔离层；以及鳍，从所述衬底延伸以从所述器件隔离层突出，所述鳍包括所述场效应晶体管的阈值电压控制区以及所述场效应晶体管的载流子区，所述阈值电压控制区掺杂有第一浓度的杂质，所述载流子区掺杂有比所述第一浓度的杂质少的第二浓度的杂质，其中包括所述阈值电压控制区和所述载流子区的所述鳍的总宽度小于10nm；以及其中所述载流子区包括所述鳍的内部部分，所述阈值电压控制区包括在所述内部部分上生长的所述鳍的外部部分。
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