[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310084385.X | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103311275A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 弗朗茨·赫尔莱尔;马库斯·曾德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李静 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及制造半导体器件的方法，半导体器件包括从表面延伸到半导体本体的漂移区中的沟道区域。该半导体器件进一步包括介电结构，介电结构包括沿沟道区域的侧向侧的第一梯阶和第二梯阶。该半导体器件进一步包括在第一梯阶与第二梯阶之间的第一导电类型的辅助结构、在沟道区域中的栅电极以及与漂移区的第一导电类型不同的第二导电类型的本体区域。该辅助结构与漂移区、本体区域及介电结构中的每个邻接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：沟道区域，从一表面延伸到半导体本体的漂移区中；介电结构，包括沿所述沟道区域的侧向侧的第一梯阶和第二梯阶；第一导电类型的辅助结构，在所述第一梯阶与第二梯阶之间；栅电极，在所述沟道区域中；第二导电类型的本体区域，所述第二导电类型不同于所述漂移区的所述第一导电类型；并且其中，所述辅助结构与所述漂移区、所述本体区域及所述介电结构中的每个邻接。
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