[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及包括辅助结构的半导体器件和制造半导体器件的方法。

背景技术

新生代半导体部件的开发（尤其是垂直功率半导体部件）受增加开关元件（例如场效应晶体管（FET））的开关速度和降低所谓的特定接通电阻Ron（每单位面积的阻抗）的目标的驱动。降低Ron允许最小化静态功率损失和提供具有更高电流密度的功率半导体部件。因此，对于相同总电流来说，使用更小（因此更具性价比）的半导体部件是可能的。

期望的是，提供改善的在半导体部件的特定接通电阻Ron与其开关速度之间的折衷（trade-off），以及提供用于制造这些半导体部件的方法。

发明内容

根据半导体器件的实施例，该半导体包括从表面延伸到半导体本体的漂移区的沟道区域。该半导体器件进一步包括介电结构，其包括沿沟道区域的侧向侧的第一梯阶和第二梯阶。该半导体器件进一步包括在第一梯阶与第二梯阶之间的第一导电类型的辅助结构。该半导体器件进一步包括在沟道区域中的栅电极和与漂移区的第一导电类型不同的第二导电类型的本体区域。该辅助结构和漂移区、本体区域以及介电结构中的每个邻接。

根据半导体器件的另一个实施例，该半导体包括从表面延伸到半导体本体的漂移区中的沟道区域。该半导体器件进一步包括介电结构，其包括上侧面和下侧面的侧向交错布置，在上侧面与下侧面之间具有梯阶。该半导体器件进一步包括第一导电类型的辅助结构，其仅与下侧面和相对于该介电结构的梯阶邻接。该半导体器件进一步包括在沟道区域中的栅电极和与漂移区的第一导电类型不同的第二导电类型的本体区域。该辅助结构进一步与漂移区及本体区域中的每个邻接。

根据半导体器件的另一个实施例，该半导体器件包括从表面延伸到半导体本体的漂移区中的沟道区域。该半导体器件进一步包括第一导电类型的辅助结构，其和沟道区域的第一侧、沟道区域的底侧和沟道区域的与第一侧相对的第二侧中的每个邻接。该半导体器件进一步包括在沟道区域中的介电结构。该半导体器件进一步包括在沟道区域中的栅电极和与漂移区的导电类型不同的导电类型的本体区域。该辅助结构和漂移区、本体区域及介电结构中的每个邻接。从该表面到交界面所在位置的第一距离大于从表面到栅电极的底侧的第二距离，所述交界面是漂移区与临接该辅助结构本体区域之间的交界面。

根据用于制造半导体器件的方法的实施例，该方法包括，形成从表面延伸到半导体本体的漂移区中的沟道区域。该方法进一步包括，在沟道区域的下部中形成介电结构的第一部分，以及在沟道区域的上部的侧向侧上形成辅助层。该方法进一步包括，在沟道区域中形成介电结构的第二部分，以及在介电结构的第二部分上方，从沟道区域的侧向侧移除辅助层的至少一部分，其中，所述辅助层的剩余部分形成辅助结构。该方法进一步包括，在辅助结构的上方形成介电结构的第三部分，在沟道区域中形成栅电极，以及形成与漂移区的第一导电类型不同的第二导电类型的本体区域。

根据制造半导体器件的方法的另一个实施例，该方法包括，形成从表面延伸到半导体本体的漂移区的沟道区域。该方法进一步包括，在沟道区域的下部中形成介电结构的第一部分，以及在介电结构的第一部分上方，经由沟道区域的侧向侧将掺杂物插入到半导体本体中。该方法进一步包括，在沟道区域中形成介电结构的第二部分，以及在介电结构的第二部分上方，去除包括位于沟道区域的侧向侧处插入的掺杂物的半导体本体的一部分，其中，所述插入掺杂物的剩余部分形成辅助结构。该方法进一步包括，在介电结构的第二部分上方形成介电结构的第三部分，在沟道区域中形成栅电极，以及形成与漂移区的导电类型不同的导电类型的本体区域。

根据制造半导体器件的方法的另一个实施例，该方法包括，形成从表面延伸到半导体本体的漂移区中的沟道区域。该方法进一步包括，在沟道区域的第一侧、沟道区域的底侧和与第一侧相对的沟道区域的第二侧中的每个上形成辅助层。该方法进一步包括，在沟道区域中形成介电结构的第一部分，以及在介电结构的第一部分上方，从沟道区域的第一侧和第二侧去除辅助层，其中，所述辅助层的剩余部分形成辅助结构。该方法进一步包括，在辅助结构上方，形成介电结构的第二部分，在沟道区域中形成栅电极和形成本体区域。

本领域的技术人员在阅读下列详细描述和观看随附附图后，会认识到附加的特征和优势。

附图说明