[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

沟道区域，从一表面延伸到半导体本体的漂移区中；

介电结构，包括沿所述沟道区域的侧向侧的第一梯阶和第二梯阶；

第一导电类型的辅助结构，在所述第一梯阶与第二梯阶之间；

栅电极，在所述沟道区域中；

第二导电类型的本体区域，所述第二导电类型不同于所述漂移区的所述第一导电类型；并且其中，

所述辅助结构与所述漂移区、所述本体区域及所述介电结构中的每个邻接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述辅助结构包括掺杂的外延层、掺杂的再结晶层和掺杂的玻璃中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述辅助结构的侧向厚度在10nm到100nm之间的范围。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述辅助结构中的最大掺杂浓度大于在所述漂移区中的最大掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从所述表面到一位置的第一距离大于从所述表面到所述栅电极的底侧的第二距离，在该位置处，所述漂移区和所述本体区域间的界面邻接所述辅助结构。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括布置在所述栅电极与所述沟道区域的底侧之间的场电极。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述辅助结构包括与所述漂移区、所述本体区域和所述介电结构中的每个邻接的第一部分以及与所述场电极邻接的第二部分。

8.一种半导体器件，包括：

沟道区域，从一表面延伸到半导体本体的漂移区中；

介电结构，包括侧向交错布置的上侧面和下侧面，所述上侧面与所述下侧面之间具有梯阶；

第一导电类型的辅助结构，其相对于所述介电结构仅与所述下侧面和所述梯阶邻接；

栅电极，在所述沟道区域中；

第二导电类型的本体区域，所述第二导电类型不同于所述漂移区的所述第一导电类型；并且其中，

所述辅助结构进一步与所述漂移区和所述本体区域中的每个邻接。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述辅助结构的侧向厚度在10nm到100nm之间的范围。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，在所述辅助结构中的最大掺杂高于在所述漂移区中的最大掺杂。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，从所述表面到一位置的第一距离大于从所述表面到栅电极底侧的第二距离，在该位置处，所述漂移区与所述本体区域之间的界面邻接所述邻接辅助结构。

12.一种半导体器件，包括：

沟道区域，从一表面延伸到半导体本体的漂移区中；

第一导电类型的辅助结构，与所述沟道区域的第一侧、所述沟道区域的底侧和所述沟道区域的与所述第一侧相对的第二侧中的每个邻接；

介电结构，在所述沟道区域中；

栅电极，在所述沟道区域中；

第二导电类型的本体区域，所述第二导电类型不同于所述漂移区的第一导电类型，其中，

所述辅助结构与所述漂移区、所述本体区域及所述介电结构中的每个邻接；并且

从所述表面到一位置的第一距离大于从所述表面到所述栅电极的底侧的第二距离，在该位置处，所述漂移区与所述本体区域之间的界面邻接所述辅助结构。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述辅助结构的侧向厚度在10nm到100nm之间的范围。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，在所述辅助结构中的最大掺杂大于在所述漂移区中的最大掺杂。