[发明专利]四结级联太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201310082880.7 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103199141A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 孙玉润;董建荣;李奎龙;曾徐路;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/078;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种四结级联太阳能电池，包括依次设置的Ge底电池、第一隧道结、GaNAsBi子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层；Ge底电池包括Ge衬底以及设置在Ge衬底上的Ge底电池的发射区；GaNAsBi子电池与Ge衬底晶格匹配。本发明还提供一种四结级联太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）在Ge衬底上扩散形成或生长Ge底电池；2）在Ge底电池表面依次生长第一隧道结、GaNAsBi子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层；3）在GaInP子电池和Ge衬底上分别制备上、下电极，获得目标太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 级联 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种四结级联太阳能电池，其特征在于，包括依次设置的Ge底电池、第一隧道结、GaNAsBi子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层；其中，所述Ge底电池包括Ge衬底以及设置在所述Ge衬底上的Ge底电池的发射区；所述GaNAsBi子电池与Ge衬底晶格匹配。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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