[发明专利]四结级联太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201310082880.7 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103199141A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 孙玉润;董建荣;李奎龙;曾徐路;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/078;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 级联 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种四结级联太阳能电池，其特征在于，包括依次设置的Ge底电池、第一隧道结、GaNAsBi子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层；其中，所述Ge底电池包括Ge衬底以及设置在所述Ge衬底上的Ge底电池的发射区；所述GaNAsBi子电池与Ge衬底晶格匹配。
2.根据权利要求1所述的四结级联太阳能电池，其特征在于，所述GaNAsBi子电池包含材料为GaNAsBi的基区，以及在所述基区上设置的材料为GaNAsBi的发射区。
3.根据权利要求1或2所述的四结级联太阳能电池，其特征在于，所述GaNAsBi子电池中N的组分为1.30%，Bi的组分为2.23%，所述GaNAsBi子电池的带隙宽度为1.00eV。
4.根据权利要求1所述的四结级联太阳能电池，其特征在于，所述 GaInP子电池和所述Ge衬底上分别设有电极。
5.根据权利要求1所述的四结级联太阳能电池，其特征在于，所述四结级联太阳能电池的带隙组合为1.90 eV、1.42 eV、1.00 eV、0.67eV。
6.一种权利要求1所述的四结级联太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括步骤： 1）在Ge衬底上扩散形成或生长Ge底电池； 2）在所述Ge底电池表面依次生长第一隧道结、GaNAsBi子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层； 3）在所述GaInP子电池和所述Ge衬底上分别制备上、下电极，获得目标太阳能电池。
7.根据权利要求6所述的四结级联太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述四结级联太阳能电池外延是采用MOCVD法或MBE法生长形成。
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