[发明专利]半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件有效
| 申请号： | 201310077477.5 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103199437A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 谷口英广 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张远 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件。本发明的包含半导体层的半导体光学器件的制造方法为，在半导体层叠结构(12-18)表面的第一区域上形成第一电介质膜(26)，在半导体层叠结构(12-18)表面的第二区域上形成具有比第一电介质膜(26)高的密度的第二电介质膜(25)，在由于对第二电介质膜(25)下部的半导体层进行的热处理所引起的带隙的变化量变得大于由于对第一电介质膜(26)下部的半导体层进行的热处理所引起的带隙的变化量的温度区域实施热处理，在第一电介质膜(26)下部的半导体层叠结构(12-18)上形成窗区域(23)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光学 器件 制造 方法 激光 元件 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体光学器件，是端面发射型的半导体光学器件，具有：第一电极；半导体基板；层叠结构，其具有在上述基板上依次形成的第一导电型包覆层、活性层、第二导电型包覆层、和以第二导电型杂质进行了掺杂的接触层；以及第二电极，其在上述接触层上形成，且构成将上述叠层结构夹在该第二电极与上述第一电极之间的电流路径，上述端面发射型的半导体光学器件的特征为，至少在激光的射出侧端面附近具有窗区域，该窗区域具有比非窗区域大的带隙，上述接触层的窗区域的第二导电型杂质浓度比上述接触层的非窗区域的第二导电型杂质浓度低。
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