[发明专利]半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件

权利要求书

1.一种半导体光学器件，是端面发射型的半导体光学器件，具有：

第一电极；

半导体基板；

层叠结构，其具有在上述基板上依次形成的第一导电型包覆层、活性层、第二导电型包覆层、和以第二导电型杂质进行了掺杂的接触层；以及

第二电极，其在上述接触层上形成，且构成将上述叠层结构夹在该第二电极与上述第一电极之间的电流路径，上述端面发射型的半导体光学器件的特征为，

至少在激光的射出侧端面附近具有窗区域，该窗区域具有比非窗区域大的带隙，

上述接触层的窗区域的第二导电型杂质浓度比上述接触层的非窗区域的第二导电型杂质浓度低。

2.根据权利要求1所述的半导体光学器件，其特征为：

上述接触层的窗区域的第二导电型杂质浓度比上述接触层的非窗区域的第二导电型杂质浓度低2×10¹⁷cm^-3以上。

3.根据权利要求1所述的半导体光学器件，其特征为：

在上述接触层与上述活性层之间的上述窗区域，形成有电流狭窄层。

4.根据权利要求3所述的半导体光学器件，其特征为：

上述电流狭窄层从窗区域延伸到非窗区域的一部分。

5.根据权利要求3所述的半导体光学器件，其特征为：

上述半导体层是层叠有多个半导体层的结构，

上述电流狭窄层具有比在该电流狭窄层的上下所形成的半导体层中的晶格常数还大的晶格常数。

6.根据权利要求1所述的半导体光学器件，其特征为：

在上述接触层与上述活性层之间具有包含扩散种的扩散层。

7.根据权利要求3所述的半导体光学器件，其特征为：

在上述电流狭窄层下部具有包含扩散种的扩散层，

上述扩散层与上述电流狭窄层形成在相同区域。

8.根据权利要求1所述的半导体光学器件，其特征为：

上述基板以及上述层叠结构由III-V族系化合物构成。

9.根据权利要求1所述的半导体光学器件，其特征为：

上述第二导电型杂质为Zn、Mg或Be。

10.根据权利要求1所述的半导体光学器件，其特征为：

上述扩散种是作为p型杂质的Zn、Mg或Be、作为n型杂质的Si或Se、作为界面杂质的O、C、H或S或者空穴中的任意一种。

11.一种通信系统，其特征为，具有：

包括权利要求1～10中任一项所述的半导体光学器件的发送器；一端与上述发送器进行了光耦合的2km以上的光纤；以及与上述光纤的另一端进行了光耦合的接收器。