[发明专利]一种半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201310077046.9 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104051245B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 赵杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成虚拟栅极；在所述虚拟栅极的侧壁上形成第一偏移侧壁和第二偏移侧壁；去除所述虚拟栅极；去除所述第一偏移侧壁，形成关键尺寸增大的凹槽。在本发明中在形成虚拟栅极之后，在虚拟栅极上形成热处理氧化物层、第一偏移侧壁以及第二偏移侧壁，其中在执行完LDD以及源漏离子注入后，去除所述热处理氧化物层、所述第一偏移侧壁，形成凹槽，所述凹槽的关键尺寸即为所述金属栅极的关键尺寸，所述金属栅极的关键尺寸相比常规金属栅极的关键尺寸更大，而且所述源漏离子注入之后形成，在获得较大的关键尺寸的同时，能好的避免了遮蔽效应(SHADOW‑EFFECT)，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成虚拟栅极；在所述虚拟栅极的侧壁上形成第一偏移侧壁和第二偏移侧壁；在所述虚拟栅极两侧执行LDD注入；在所述第二偏移侧壁上形成栅极间隙壁，进行源漏离子注入，以形成源漏区；去除所述虚拟栅极；去除所述第一偏移侧壁，形成关键尺寸增大的凹槽，所述关键尺寸增大的数值为所述第一偏移侧壁的厚度的两倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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