[发明专利]一种半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成虚拟栅极；

在所述虚拟栅极的侧壁上形成第一偏移侧壁和第二偏移侧壁；

在所述虚拟栅极两侧执行LDD注入；

在所述第二偏移侧壁上形成栅极间隙壁，进行源漏离子注入，以形成源漏区；

去除所述虚拟栅极；

去除所述第一偏移侧壁，形成关键尺寸增大的凹槽，所述关键尺寸增大的数值为所述第一偏移侧壁的厚度的两倍。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述凹槽之后，所述方法还包括在所述凹槽中形成金属栅极的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第一偏移侧壁和所述第二偏移侧壁之前还包括对所述虚拟栅极进行热氧化处理的步骤，以在所述虚拟栅极的侧壁上形成氧化物层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述虚拟栅极之前还包括在所述半导体衬底上形成栅极氧化物层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述栅极氧化物层通过热氧化处理的方法形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一偏移侧壁和所述第二偏移侧壁的形成方法为：

在所述半导体衬底上共形沉积第一偏移侧壁材料层；

在所述第一偏移侧壁材料层上共形沉积第二偏移侧壁材料层；

蚀刻所述第一偏移侧壁材料层和所述第二偏移侧壁材料层，以形成关键尺寸均一的所述第一偏移侧壁和所述第二偏移侧壁。

7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述第一偏移侧壁为氧化物。

8.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述第一偏移侧壁通过原子层沉积方法形成。

9.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述第二偏移侧壁为氮化物。

10.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述第二偏移侧壁通过原子层沉积方法形成。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述虚拟栅极之前，所述方法还包括：

在所述衬底上沉积接触孔蚀刻停止层；

在所述接触孔蚀刻停止层上沉积层间介质层；

执行一平坦化步骤，并停止于所述虚拟栅极。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在形成所述触孔蚀刻停止层之前，所述方法还包括以下步骤：

在所述虚拟栅极的两侧执行LDD离子注入；

在所述源漏区上生长应力层；

在所述第二偏移侧壁上形成栅极间隙壁；

进行源漏离子注入，以形成源漏区；

执行应力记忆步骤。

13.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括去除所述栅极氧化物层的步骤。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，选用湿法蚀刻同时去除所述栅极氧化物层和所述第一偏移侧壁，选用对所述栅极氧化物层和所述第一偏移侧壁的蚀刻速率相同的蚀刻制程。