[发明专利]外延沉积设备、喷淋头和及其制造方法无效
| 申请号： | 201310073259.4 | 申请日： | 2013-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103132139A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 梁秉文 | 申请（专利权）人： | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 314300 浙江省嘉兴市浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于沉积外延材料层的外延沉积设备，用于所述外延沉积设备的喷淋头和制造所述喷淋头的方法。所述于沉积外延材料层的外延沉积设备包括腔体，设置在所述腔体底部的衬底支承座和设置在所述腔体顶部的喷淋头，所述喷淋头与所述衬底支承座相对设置，并限定其间的反应区域，所述喷淋头面向所述反应区域的出气面具有一涂层，所述涂层使得外延层材料在所述表面沉积生长。本发明的外延沉积设备可以减少外延沉积工艺过程副产物粉尘的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 沉积 设备 喷淋 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于沉积外延材料层的外延沉积设备，其包括腔体，设置在所述腔体底部的衬底支承座和设置在所述腔体顶部的喷淋头，所述喷淋头与所述衬底支承座相对设置，并限定位于所述喷淋头与所述衬底支承座之间的反应区域，其特征在于：所述喷淋头面向所述反应区域的出气面具有一涂层，所述涂层使得外延层材料在所述表面沉积生长。
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