[发明专利]外延沉积设备、喷淋头和及其制造方法无效

申请号：	201310073259.4	申请日：	2013-03-07
公开（公告）号：	CN103132139A	公开（公告）日：	2013-06-05
发明（设计）人：	梁秉文	申请（专利权）人：	光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
主分类号：	C30B25/02	分类号：	C30B25/02;C30B25/14
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237	代理人：	郑玮
地址：	314300 浙江省嘉兴市浙江***	国省代码：	浙江;33
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	外延沉积设备喷淋及其制造方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种用于沉积外延材料层的外延沉积设备，其包括腔体，设置在所述腔体底部的衬底支承座和设置在所述腔体顶部的喷淋头，所述喷淋头与所述衬底支承座相对设置，并限定位于所述喷淋头与所述衬底支承座之间的反应区域，其特征在于：所述喷淋头面向所述反应区域的出气面具有一涂层，所述涂层使得外延层材料在所述表面沉积生长。

2.根据权利要求1所述的外延沉积设备，其特征在于：所述外延材料层的材料为III-V族材料。

3.根据权利要求1所述的外延沉积设备，其特征在于：所述外延材料层的材料为氮化III族材料。

4.根据权利要求1所述的外延沉积设备，其特征在于：所述外延材料层的材料为氮化镓材料。

5.根据权利要求2至4中任意一项所述的外延沉积设备，其特征在于：所述外延沉积设备进行外延沉积工艺时，所述出气面的温度大于等于300℃。

6.根据权利要求5所述的外延沉积设备，其特征在于：所述外延沉积设备进行外延沉积工艺时，所述出气面的温度小于等于900℃。

7.根据权利要求5所述的外延沉积设备，其特征在于：所述涂层的材料为碳化硅、氮化III族材料、氧化III族材料或氧化IV族材料中的一种或多种。

8.根据权利要求7所述的外延沉积设备，其特征在于：所述出气面所在的喷淋头部件的材质为金属材质，所述涂层通过热喷涂的方式涂布于所述出气面。

9.根据权利要求8所述的外延沉积设备，其特征在于：所述喷淋头部件的材质为不锈钢、钨、钼、钽、铌、钒、铬、钛和锆中的一种或多种。

10.根据权利要求8所述的外延沉积设备，其特征在于：所述出气面与所述涂层之间具有粘附层。

11.根据权利要求10所述的外延沉积设备，其特征在于：所述粘附层的材质为银、镍或钛。

12.根据权利要求8所述的外延沉积设备，其特征在于：所述喷淋头包括本体和设置在所述本体临近所述反应区域一侧的吸热板，所述吸热板与所述本体之间具有间隙，所述吸热板为所述出气面所在的喷淋头部件。

13.一种用于外延沉积工艺的喷淋头，所述喷淋头包括进气通道和出气面，从所述进气通道进入的气体从所述出气面输出，其特征在于：所述出气面具有一涂层，所述涂层使得外延层材料在所述表面沉积生长。