[发明专利]反应室及其气流控制方法有效
| 申请号： | 201310072237.6 | 申请日： | 2013-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103160814A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 姜勇;何乃明 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反应室及其气流控制方法。反应室包括：基座，用于在反应室内设置基片；控制单元，用于实时监测对基片进行处理过程中所述反应室内的反应环境，并根据所述反应环境控制反应室内的加工工艺；可移动导流环，设置在所述基座的边缘部分与所述反应室的侧壁对应位置之间；驱动单元，与所述可移动导流环连接，用于根据所述控制单元实时监测到的反应环境，使所述可移动导流环升降，并停止在适合所述加工工艺的位置，从而改变所述基座的边缘部分与所述反应室的侧壁对应位置之间的开度，以流导反应室内的气流。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 及其 气流 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种反应室，其特征在于，包括：基座，用于在反应室内设置基片；控制单元，用于实时监测对基片进行处理过程中所述反应室内的反应环境，并根据所述反应环境控制反应室内的加工工艺；可移动导流环，设置在所述基座的边缘部分与所述反应室的侧壁对应位置之间；驱动单元，与所述可移动导流环连接，用于根据所述控制单元实时监测到的反应环境，使所述可移动导流环升降，并停止在适合所述加工工艺的位置，从而改变所述基座的边缘部分与所述反应室的侧壁对应位置之间的开度，以流导反应室内的气流。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
