[发明专利]具有漏斗形沟槽的屏蔽栅极MOSFET装置有效
| 申请号： | 201310071312.7 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103311299A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 布赖恩·鲍尔斯 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林彦 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种MOSFET装置具有在半导体衬底中蚀刻的漏斗形沟槽。所述漏斗形沟槽具有喇叭形缘，所述喇叭形缘从在所述半导体衬底的表面处的较宽横截面沟槽开口延伸到终止于所述半导体衬底的外延层部分中的较窄横截面沟槽主体部分。栅电极安置在所述沟槽中位于所述喇叭形缘上。所述装置的源极和栅极区分别与所述喇叭形缘的上部和下部部分邻接。所述装置的与所述较窄横截面沟槽主体部分邻接的漏极区与栅电极的下边缘自对准。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 漏斗 沟槽 屏蔽 栅极 mosfet 装置 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET装置，其包括：在半导体衬底中蚀刻的具有喇叭形缘的漏斗形沟槽，所述喇叭形缘具有大致在所述半导体衬底的顶部表面处的较宽横截面沟槽开口处的上边缘，和终止于所述半导体衬底中的较窄横截面沟槽主体部分的顶部开口处的下边缘；栅电极，其安置在所述漏斗形沟槽中形成于所述喇叭形缘上的栅极氧化物层上；以及源极、栅极和漏极区，其形成在所述半导体衬底中，所述栅极区与所述喇叭形缘邻接，所述漏极区与所述较窄横截面沟槽主体部分的侧壁邻接，其中所述漏极区的顶部与所述栅电极的下边缘对准。
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