[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201310068026.5 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104037117B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括在半导体衬底上依次形成低k介电层和第一低k介电硬掩膜层；在所述第一低k介电硬掩膜层上形成金属硬掩膜层；图案化所述金属硬掩膜层和所述第一低k介电硬掩膜层以形成开口；执行紫外光固化处理，以扩大所述第一低k介电硬掩膜层的开口尺寸；刻蚀处理所述低k介电层以形成沟槽结构；移除所述金属掩膜层；在所述沟槽结构中沉积形成铜金属层。根据本发明的制造工艺可以有效避免在顶部沉积的铜晶种层影响采用电化学电镀方法对沟槽结构进行的铜填充。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成低k介电层和第一低k介电硬掩膜层，所述第一低k介电硬掩膜层的材料为没有经过紫外线处理的低k介电材料，所述低k介电材料包含致孔剂；在所述第一低k介电硬掩膜层上形成金属硬掩膜层；图案化所述金属硬掩膜层和所述第一低k介电硬掩膜层以形成开口；执行紫外光固化处理，以扩大所述第一低k介电硬掩膜层的开口尺寸的同时降低介电常数；刻蚀处理所述低k介电层以形成沟槽结构；移除所述金属硬掩膜层；在所述沟槽结构中沉积形成铜金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
