[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310064436.2 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103855028B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王参群;方子韦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法包括在衬底上方形成NMOS栅极结构。该方法进一步包括紧邻NMOS栅极结构在衬底中形成非晶区。该方法还包括在非晶区中形成轻掺杂的源极/漏极(LDD)区。该方法进一步包括在NMOS栅极结构上方沉积应力膜，实施退火工艺以及去除应力膜。本发明还提供了半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成NMOS栅极结构；紧邻所述NMOS栅极结构在所述衬底中形成非晶区；在所述非晶区中形成轻掺杂源极/漏极(LDD)区；在所述NMOS栅极结构上方沉积应力膜；实施退火工艺，其中，所述退火工艺在所述衬底中紧邻所述NMOS栅极结构形成位错，所述位错在夹断点处开始形成，并且所述夹断点与所述NMOS 栅极结构的邻近的栅极边缘形成水平缓冲区；以及去除所述应力膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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