[发明专利]一种高亮度发光二极管有效
| 申请号： | 201310063658.2 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103178171A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 童小春 | 申请（专利权）人： | 溧阳市宏达电机有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管，自下往上依次为n型电极（1）、蓝宝石衬底（2）、低温缓冲层（3）、n型掺杂的Al0.05In0.05Ga0.9N层（4）、交替形成的超晶格结构的n-Al0.05In0.05Ga0.9N/n-AI0.05In0.05Ga0.9P多量子阱层（5）、p型掺杂的AlGaN层（6）、p型掺杂的Al0.1In0.05Ga0.85N层（7）、交替形成的超晶格结构的p-Al0.05In0.1Ga0.85N/p-AI0.05In0.1Ga0.85P多量子阱层（8），透明金属层（9）以及p型电极（10）。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其结构为：自下往上依次为n型电极（1）、蓝宝石衬底（2）、低温缓冲层（3）、n型掺杂的Al0.05In0.05Ga0.9N层（4）、交替形成的超晶格结构的n‑Al0.05In0.05Ga0.9N/n‑AI0.05In0.05Ga0.9P多量子阱层（5）、p型掺杂的AlGaN层（6）、p型掺杂的Al0.1In0.05Ga0.85N层（7）、交替形成的超晶格结构的p‑Al0.05In0.1Ga0.85N/p‑AI0.05In0.1Ga0.85P多量子阱层（8），透明金属层（9）以及p型电极（10）。
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