[发明专利]高比电容的核-壳结构二氧化锰@导电聚合物电极材料及其制法无效

专利信息
申请号: 201310063139.6 申请日: 2013-02-28
公开(公告)号: CN103151179A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 陆云;姚为;周晖 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01G11/30 分类号: H01G11/30;H01G11/86
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 黄嘉栋
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种核-壳结构二氧化锰@导电聚合物复合电极材料,它以二氧化锰纳米材料为核,以导电聚合物为壳,是一种具有核-壳结构的复合纳米材料,所述的二氧化锰纳米材料是纳米球、纳米棒、纳米线或纳米管;作为壳的导电聚合物是聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩或聚(3,4-乙撑二氧噻吩),所述的复合材料中二氧化锰的质量分数为5-95%,导电高聚合物的质量分数为95-5%。导电聚合物组分提高了复合材料的电导率,加快了充放电过程中电子的迁移速率,从而增加了复合电极材料的比电容。纳米二氧化锰起到骨架的作用,避免了充放电过程中导电聚合物微观结构的破坏,大大地增强了电极材料的循环寿命。导电聚合物和纳米二氧化锰都起到存储电荷的作用。本发明公开了其制法。
搜索关键词: 电容 结构 二氧化锰 导电 聚合物 电极 材料 及其 制法
【主权项】:
一种核‑壳结构二氧化锰@导电聚合物复合电极材料,其特征是:它以二氧化锰纳米材料为核,以导电聚合物为壳,是一种具有核‑壳结构的复合纳米材料,所述的二氧化锰纳米材料是纳米球、纳米棒、纳米线或纳米管;作为壳的导电聚合物是聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩或聚(3,4‑乙撑二氧噻吩) ,所述的复合材料中二氧化锰的质量分数为5‑95%,导电高聚合物和掺杂组分的质量分数为95‑5%。
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