[发明专利]场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310061264.3 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103296088B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 李忠浩;李东矩;李丞哲;李炯锡;南善娥;吴昌佑;李钟昱;S-Y.韩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了场效应晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括具有有源图案的基板，该有源图案具有顶表面和两个侧壁；栅电极，邻近有源图案的顶表面和侧壁并且跨过有源图案；栅间隔物，覆盖栅电极的侧壁；栅电介质图案，在栅电极的底表面处；源电极，在栅电极的一侧的有源图案上；漏电极，在栅电极的另一侧的有源图案上；以及硅化物图案，分别在源电极和漏电极的表面上。栅电介质图案包括至少一个高k层，栅间隔物的介电常数小于栅电介质图案的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：具有有源图案的基板，该有源图案具有顶表面和两个侧壁，所述有源图案从所述基板突起；栅电极，邻近所述有源图案的所述顶表面和所述侧壁并且跨过所述有源图案；栅间隔物，覆盖所述栅电极的侧壁；栅电介质图案，在所述栅电极的底表面处；源电极，在所述栅电极的一侧的所述有源图案上；漏电极，在所述栅电极的另一侧的所述有源图案上；以及硅化物图案，分别在所述源电极和所述漏电极的表面上，其中所述栅电介质图案包括至少一个高k层，所述栅间隔物的介电常数小于所述栅电介质图案的介电常数，其中所述栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极从所述第二栅电极与所述栅电介质图案之间的区域延伸到所述第二栅电极的所述侧壁与所述栅间隔物之间的区域，其中所述第一栅电极与所述栅间隔物的内侧壁和所述栅电介质图案直接接触，其中所述第一栅电极由金属氮化物形成，所述第二栅电极由金属形成。
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