[发明专利]BCD工艺中的隔离型齐纳二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310058886.0 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104009098B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;石晶;段文婷;胡君;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BCD工艺中的隔离型齐纳二极管，包括N型深阱，形成于半导体衬底上并用于实现隔离型齐纳二极管的隔离；P型区，包括叠加而成的高压P阱、P阱和P型基区；N型区，由形成于P型区表面上的N型源漏注入区组成，N型区底部和P型区接触并形成隔离型齐纳二极管的PN结；P型引出区，由形成于P型区表面上的N型源漏注入区组成；低压N阱，形成于N型深阱中并位于P型区外部，在低压N阱表面形成有由N型源漏注入区组成的N型深阱引出区。本发明还公开了一种BCD工艺中的隔离型齐纳二极管的制造方法。本发明器件工艺能够和BCD工艺良好的集成，不仅能够降低工艺成本，还能使整个集成电路的系统性能和可靠性得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | bcd 工艺 中的 隔离 齐纳二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种BCD工艺中的隔离型齐纳二极管，其特征在于，包括：N型深阱，形成于半导体衬底上并用于实现隔离型齐纳二极管的隔离；P型区，形成于所述N型深阱中并被所述N型深阱包围，所述P型区包括叠加而成的高压P阱、P阱和P型基区，所述P阱的结深小于所述高压P阱的结深、且所述P阱叠加在所述高压P阱中，所述P型基区的结深小于所述P阱的结深、且所述P型基区叠加在所述P阱中；在所述半导体衬底上形成有浅沟槽隔离结构并由所述浅沟槽隔离隔离出有源区，所述浅沟槽隔离的底部深度小于所述P型基区的结深；所述P型区至少包围2个所述有源区；N型区，由形成于被所述P型区所包围的、一个以上的所述有源区中的N型源漏注入区组成，所述N型区底部和所述P型区接触并形成所述隔离型齐纳二极管的PN结；P型引出区，由形成于被所述P型区所包围、且和所述N型区所属有源区不相同的有源区中P型源漏注入区组成，所述P型引出区和所述P型区接触并用于引出所述P型区；低压N阱，形成于所述N型深阱中并位于所述P型区外部，在所述低压N阱表面形成有由N型源漏注入区组成的N型深阱引出区；所述隔离型齐纳二极管的所述N型深阱的工艺条件和BCD工艺中的DMOS器件的N型深阱的工艺条件相同；所述隔离型齐纳二极管的所述低压N阱的工艺条件和BCD工艺中的DMOS器件的低压N阱的工艺条件相同。
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