[发明专利]用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法有效
| 申请号： | 201310057280.5 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103197507A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 梁平;胡颖;刘俊岐;刘峰奇;王利军;张锦川;王涛;姚丹阳;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体芯片；步骤2：取一半导体衬片；步骤3：用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片；步骤4：将基片进行甩胶处理；步骤5：将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。本发明适用于要求背面出光且需要解理为小管芯的半导体激光器芯片背面接触式曝光的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 超薄 半导体 芯片 接触 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体芯片；步骤2：取一半导体衬片；步骤3：用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片；步骤4：将基片进行甩胶处理；步骤5：将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。
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