[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310050123.1 | 申请日： | 2013-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103985754B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底中的阱区；位于阱区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中阱区作为背栅导体的导电路径的一部分；位于半导体鳍片下部的穿通阻止层；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。该半导体器件可以实现高集成度和低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体衬底中的阱区；位于阱区上的夹层结构，该夹层结构包括具有顶部表面的背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的具有顶部表面的背栅电介质，其中阱区作为背栅导体的导电路径的一部分，其中背栅导体及两侧的背栅电介质均延伸进入阱区内达到一定深度，背栅导体的顶部表面和背栅电介质的顶部表面彼此平齐；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；位于背栅导体上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖，并且绝缘帽盖将背栅导体与前栅导体隔开，其中绝缘帽盖覆盖背栅导体的顶部表面、背栅电介质的顶部表面、以及背栅电介质的部分侧壁；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。
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