[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

半导体衬底中的阱区；

位于阱区上的夹层结构，该夹层结构包括具有顶部表面的背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的具有顶部表面的背栅电介质，其中阱区作为背栅导体的导电路径的一部分，其中背栅导体及两侧的背栅电介质均延伸进入阱区内达到一定深度，背栅导体的顶部表面和背栅电介质的顶部表面彼此平齐；

与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；

位于背栅导体上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖，并且绝缘帽盖将背栅导体与前栅导体隔开，其中绝缘帽盖覆盖背栅导体的顶部表面、背栅电介质的顶部表面、以及背栅电介质的部分侧壁；以及

与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于半导体鳍片下部的穿通阻止层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述半导体器件是N型的，并且所述穿通阻止层和所述阱区是P型的。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述半导体器件是P型的，并且所述穿通阻止层和所述阱区是N型的。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中源区和漏区是半导体鳍片两端的部分。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中源区和漏区是与半导体鳍片的两端接触的附加的半导体层中的掺杂区。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中源区和漏区是与半导体鳍片的侧面接触的附加的半导体层中的掺杂区。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中源区和漏区由与半导体鳍片不同的材料组成。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括与半导体鳍片的侧面接触的附加的应力作用层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述背栅导体由选自TaC、TiN、TaTbN、TaErN、TaYbN、TaSiN、HfSiN、MoSiN、RuTax、NiTax，MoNx、TiSiN、TiCN、TaAlC、TiAlN、TaN、PtSix、Ni₃Si、Pt、Ru、Ir、Mo、W、HfRu、RuOx、掺杂的多晶硅中的至少一种组成。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体鳍片由选自Si、Ge、SiGe、GaAs、GaSb、AlAs、InAs、InP、GaN、SiC、InGaAs、InSb和InGaSb构成的组中的一种组成。