[发明专利]氮化物高压器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310049853.X | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103117294A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215124 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物高压器件及其制造方法，氮化物高压器件包括：硅衬底；位于所述硅衬底上的氮化物成核层；位于所述氮化物成核层上的氮化物缓冲层；位于所述氮化物缓冲层上的氮化物沟道层；与所述氮化物沟道层相接触的源极和漏极以及位于所述源极和漏极之间的栅极；其中，所述栅极和漏极之间区域下方的氮化物成核层与硅衬底之间设有一个或多个局部空间隔离区域。本发明通过去除栅极和漏极之间氮化物外延层下方的部分硅衬底，将硅衬底与能够承受高电压的氮化物外延层隔离，避免硅衬底可能引起的纵向击穿，从而实现可以耐高击穿电压的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 高压 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物高压器件，其特征在于，所述氮化物高压器件包括：硅衬底；位于所述硅衬底上的氮化物成核层；位于所述氮化物成核层上的氮化物缓冲层；位于所述氮化物缓冲层上的氮化物沟道层；与所述氮化物沟道层相接触的源极和漏极以及位于所述源极和漏极之间的栅极；其中，所述栅极和漏极之间区域下方的氮化物成核层与硅衬底之间设有一个或多个局部空间隔离区域。
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