[发明专利]一种免扩散的雪崩光电二极管及其制备方法

摘要

本发明提供一种免扩散的雪崩光电二极管及其制备方法，所述雪崩光电二极管包括衬底，所述衬底表面上依次生长有缓冲层、扩散阻挡层、雪崩倍增层、电场控制层、渐变层、光吸收层、腐蚀停止层、窗口层和接触层，所述的窗口层位于腐蚀停止层的中心位置，所述腐蚀停止层于窗口层的周围以及接触层的上方均覆盖有介质绝缘层，所述介质绝缘层上具有环形沟道。本发明选择性腐蚀腐蚀出圆形的窗口层，窗口层以外的部分覆盖有介质绝缘层，窗口层的大小可以直接定义雪崩光电二极管的光敏感区域，使雪崩光电二极管适用于不同速率环境下工作；另外在光吸收层靠近窗口层边缘一侧，尽管存在略强的电场，但不会在雪崩倍增层出现边缘击穿现象。

主权项

一种免扩散的雪崩光电二极管，所述雪崩光电二极管包括衬底，所述衬底的表面依次生长有缓冲层、扩散阻挡层、雪崩倍增层、电场控制层、渐变层、光吸收层、腐蚀停止层、窗口层和接触层，其特征在于，所述的窗口层位于腐蚀停止层的中心位置，所述腐蚀停止层于窗口层的周围以及接触层的上方均覆盖有介质绝缘层，所述介质绝缘层上具有环形沟道，且所述环形沟道的深度满足至少到达衬底的上方。