[发明专利]一种渐变AlGaN层的制备方法及采用该方法得到的器件

摘要

本发明涉及半导体技术领域，更具体地涉及一种渐变AlGaN层的制备方法及采用该方法得到的器件。在生长渐变AlGaN层时，通入反应室的三甲基铝流量逐渐减少，三甲基镓流量逐渐增加；三甲基铝流量的函数为：yTMAl=a-bxm或yTMAl=a(1-x)m+b；三甲基镓流量的函数为：yTMGa=cxn+d或yTMGa=c-d(1-x)n；x为渐变AlGaN层生长的归一化时间，m、n不同时为1。本发明利用不同的流量函数，改变TMAl和TMGa在不同流量时的变化率。从而能够有效地控制铝组分在渐变AlGaN层中的分布，进而调控其上生长的GaN薄膜的应力和晶体质量，生长出高晶体质量且不龟裂的厚GaN薄膜。

主权项

1.一种渐变AlGaN层的制备方法，在生长渐变AlGaN层之前，首先在衬底上生长一层AlN缓冲层；生长渐变AlGaN层的方法为：在反应室中通入NH₃、三甲基铝和三甲基镓，其中通入的三甲基铝流量逐渐减少，三甲基镓流量逐渐增加；其特征在于，三甲基铝流量的函数为：；三甲基镓流量的函数为：；其中，x为渐变AlGaN层生长的归一化时间，m、n不同时为1。