[发明专利]一种具有场截止结构的IGBT及其制造方法有效
| 申请号： | 201310033819.3 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103972280A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 周炳;刘晓萌;郝建勇 | 申请（专利权）人： | 苏州同冠微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 徐琳淞 |
| 地址： | 215617 江苏省张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有场截止结构的IGBT及其制造方法，解决了传统工艺制备的问题。本发明通过背面刻蚀、注入，在N-漂移区和P+集电极区之间形成N+缓冲区。这种结构和制造方法，不仅优化器件的电性能，而且克服依赖高能粒子注入的设备，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 截止 结构 igbt 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有场截止结构的IGBT，从背面到正面依次包括背面金属层(13)、P+集电极区(10)、N‑漂移区(8)、P阱区(7)、第一N+发射极区(5)、第二N+发射极区(6)、栅氧层(4)、绝缘层(2)、电极(1)；第一N+发射极区(5)、第二N+发射极区(6)设置在P阱区(7)内且相互隔开；电极(1)的左侧设有栅氧层(4)和绝缘层(2)结构，电极(1)的右侧也设有栅氧层(4)和绝缘层(2)结构，绝缘层(2)将栅氧层(4)与电极(1)隔开；左侧的栅氧层(4)与N‑漂移区(8)、P阱区(7)、第一N+发射极区(5)的部分相连；右侧的栅氧层(4)与N‑漂移区(8)、P阱区(7)、第二N+发射极区(6)的部分相连；栅氧层(4)与绝缘层(2)之间设有多晶硅层(3)；P+集电极区(10)设有沟槽(9)；其特征在于：所述P+集电极区(10)与N‑漂移区(8)之间通过离子注入设有N+缓冲区(11)。
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