[发明专利]用于半导体工艺中的烷氧基硅烷水解反应的催化剂和包含其的制剂

摘要

本发明涉及包含选自烷氧基硅烷、芳氧基硅烷或烷基烷氧基硅烷的含硅前体和包括卤代烷氧基烷基硅烷或卤代芳氧基烷基硅烷的催化剂化合物的稳定制剂，其中含硅前体和催化剂化合物中的取代基如本文所述的是相同的。更具体地，该制剂包含包括具有式Si(OR1)nR24‑n的烷氧基烷基硅烷或芳氧基硅烷的含硅前体和包括具有式XSi(OR1)nR23‑n的卤代烷氧基烷基硅烷的催化剂，或者包含包括具有式R23‑p(R1O)pSi‑R3‑Si(OR1)pR23‑p的烷氧基硅烷或芳氧基硅烷的含硅前体和包括具有式(R1O)mR22‑m(X)Si‑R3‑Si(OR4)2R5的卤代烷氧基烷基硅烷或卤代芳氧基烷基硅烷的催化剂，其中至少一个或所有的R1和R2取代基在含硅前体和催化剂化合物中如本文所述的是相同的。制剂可以用于半导体沉积工艺，例如，流动式氧化硅工艺。

主权项

制剂，其选自：(1)制剂A，其包含：(a)包括具有式Si(OR1)nR24‑n的烷氧基烷基硅烷的含硅前体；和(b)包括具有式XSi(OR1)nR23‑n的卤代烷氧基烷基硅烷的催化剂；其中R1选自C1‑C12直链或支链烷基、C3‑C12芳基、C3‑C12环烷基、C2‑C12链烯基和C2‑C12炔基；R2选自C1‑C12直链或支链烷基、C3‑C12芳基、C2‑C12链烯基、C2‑C12炔基和氢原子；其中当R1是甲基时，R2不是氢；n是1‑4的整数；和X选自Cl、Br和I，其中所述含硅前体和催化剂化合物具有至少相同的R1；和(2)制剂B，其包含(a)包括具有式R23‑p(R1O)pSi‑R3‑Si(OR1)pR23‑p的化合物的含硅前体；和(b)包括具有式(R1O)mR22‑m(X)Si‑R3‑Si(OR4)2R5的卤代烷氧基烷基硅烷的催化剂；其中R1和R4各自独立地选自C1‑C12直链或支链烷基、C3‑C12芳基、C3‑C12环烷基、C2‑C12链烯基和C2‑C12炔基；R2选自C1‑C12直链或支链烷基、C3‑C12芳基、C3‑C12环烷基、C2‑C12链烯基、C2‑C12炔基和氢原子；其中R1和R2是相同或不同；R3选自C1‑10链烷二基、C2‑10链烯二基、C2‑10炔二基、C3‑10环烷二基、C5‑10环烯二基、C6‑10双环烷二基、C6‑10环烯二基、C6‑10芳二基；和R5选自直链或支链的C1‑C12烷基、C4‑C12芳基、C3‑C12环烷基、C2‑C12链烯基、C2‑C12炔基和直链或支链的C1‑C12烷氧基；X选自F、Cl、Br和I；m是1‑2的整数；和p是1‑3的整数，其中所述含硅前体和催化剂化合物具有至少相同的R1。