[发明专利]芯片装置、多层芯片装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201310030266.6 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103578703A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 朴祥秀;安永圭;朴珉哲 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01F27/245 | 分类号： | H01F27/245;H01F27/29;H01F41/02;H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 施娥娟;桑传标 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多层芯片装置，该多层芯片装置包括：多层本体，该多层本体包括堆叠在该多层本体中的多个内磁性层；内电极层，该内电极层形成在所述多层本体内；外磁性层，该外磁性层堆叠在所述多层本体的上表面和下表面中的至少一者上；以及外电极，该外电极形成在所述多层本体和所述外磁性层的外侧，并且该外电极与所述内电极层电连接，其中所述外磁性层的长度比所述内磁性层的长度短。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 装置 多层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多层芯片装置，该多层芯片装置包括：多层本体，该多层本体包括堆叠在该多层本体中的多个内磁性层；内电极层，该内电极层形成在所述多层本体内；外磁性层，该外磁性层堆叠在所述多层本体的上表面和下表面中的至少一者上；以及外电极，该外电极形成在所述多层本体和所述外磁性层的外侧，并且该外电极与所述内电极层电连接，所述外磁性层的长度比所述内磁性层的长度短。
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