[发明专利]芯片装置、多层芯片装置及其制造方法

权利要求书

1.一种多层芯片装置，该多层芯片装置包括：

多层本体，该多层本体包括堆叠在该多层本体中的多个内磁性层；

内电极层，该内电极层形成在所述多层本体内；

外磁性层，该外磁性层堆叠在所述多层本体的上表面和下表面中的至少一者上；以及

外电极，该外电极形成在所述多层本体和所述外磁性层的外侧，并且该外电极与所述内电极层电连接，

所述外磁性层的长度比所述内磁性层的长度短。

2.根据权利要求1所述的多层芯片装置，其中，所述外磁性层的厚度为形成在所述外磁性层的外侧的所述外电极的厚度的0.9至1.1倍。

3.根据权利要求1所述的多层芯片装置，其中，所述外磁性层的厚度等于形成在所述外磁性层的外侧的所述外电极的厚度。

4.根据权利要求1所述的多层芯片装置，其中，所述多层芯片装置的长度和宽度分别在2.5±0.1mm和2.0±0.1mm的范围内。

5.根据权利要求1所述的多层芯片装置，其中，所述外磁性层包括与所述内磁性层相同的材料。

6.根据权利要求1所述的多层芯片装置，其中，该多层芯片装置还包括形成在所述多层本体中的非磁性层。

7.根据权利要求1所述的多层芯片装置，其中，所述内电极层包含银。

8.根据权利要求1所述的多层芯片装置，其中，所述外电极包含银和铜中的至少一者。

9.一种多层芯片装置的制造方法，该方法包括：

准备多个内磁性层，该内磁性层包括形成在其中的导电图案和转接电极；

通过堆叠所述多个内磁性层形成多层本体，从而通过使形成在每一个所述内磁性层中的所述导电图案的端部与形成在相邻的第一个磁性层中的所述转接电极接触来形成线圈部分；

将外磁性层堆叠在所述多层本体的上表面和下表面中的至少一者上；以及

在多层的所述外磁性层和所述多层本体的外侧形成外电极，

所述外磁性层比所述内磁性层短。

10.一种多层芯片装置的制造方法，该方法包括：

准备多个内磁性层，该内磁性层包括形成在其中的导电图案和转接电极；

通过堆叠所述多个内磁性层形成多层本体，从而通过使形成在每一个所述内磁性层中的所述导电图案的端部与形成在相邻的所述内磁性层中的所述转接电极接触来形成线圈部分；

将外磁性层堆叠在所述多层本体的上表面和下表面中的至少一者上；

部分地去除多层的所述外磁性层的沿长度方向的两端；以及

在所述多层本体的外侧和两端被部分地去除的所述外磁性层的外侧形成外电极。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，部分地去除所述两端包括：以形成在所述外磁性层的外侧上的所述外电极的长度为基准，部分地去除多层的所述外磁性层。

12.一种芯片装置，该芯片装置包括：

支撑基板；

线圈，该线圈形成在所述支撑基板的两个表面上；

磁性本体，该磁性本体包括所述线圈和所述支撑基板，并且该磁性本体由磁性物质形成；

外磁性层，该外磁性层形成在所述磁性本体的上表面和下表面中的至少一者上；以及

外电极，该外电极形成在所述多层本体和所述外磁性层的外侧，并且该外电极与所述线圈电连接，

所述外磁性层的长度比所述磁性本体的长度短。

13.根据权利要求12所述的芯片装置，其中，所述外磁性层的厚度为形成在所述外磁性层的外侧的所述外电极的厚度的0.9至1.1倍。

14.根据权利要求12所述的芯片装置，其中，所述外磁性层的厚度等于形成在所述外磁性层的外侧的所述外电极的厚度。