[发明专利]一种测试装置和使用该测试装置测量对准偏差的方法

摘要

本发明实施例提供了一种测试装置和使用该测试装置测量不同光刻工艺层的对准偏差的方法，用以解决现有技术在测量没有留下可见标记的光刻工艺层的对准偏差时，无法通过光学方法只能通过破坏性的分析方法来测量的问题。该测试装置包括：基片，以及位于基片的光刻工艺层上的至少一个第一对称图形和至少一个第二对称图形，一个第一对称图形与一个第二对称图形组成一组，同组中的第一对称图形与第二对称图形位于不同的光刻工艺层；由每组中的第二对称图形形成的区域沿着该组中的第一对称图形的第一对称轴方向将由该组中的第一对称图形形成的区域分隔为两个部分，所述两个部分沿着该组中的第一对称图形的第一对称轴方向上的两端中最多有一端相连。

主权项

一种测试装置，其特征在于，包括：基片，以及位于基片的光刻工艺层上的至少一个第一对称图形，以及位于基片的光刻工艺层上的至少一个第二对称图形，所述第一对称图形和所述第二对称图形的数量相同，一个第一对称图形与一个第二对称图形组成一组，同组中的第一对称图形与第二对称图形位于不同的光刻工艺层，由不同组中的第二对称图形形成的区域相互之间不重叠，由不同组中的第一对称图形形成的区域和由不同组中的第二对称图形形成的区域相互之间不重叠；由每组中的第二对称图形形成的区域沿着该组中的第一对称图形的第一对称轴方向将由该组中的第一对称图形形成的区域分隔为两个部分，所述两个部分沿着该组中的第一对称图形的第一对称轴方向上的两端中最多有一端相连；每组中的第二对称图形的一个对称轴和该组中的第一对称图形的第一对称轴平行。