[发明专利]一种测试装置和使用该测试装置测量对准偏差的方法

权利要求书

1.一种测试装置，其特征在于，包括：基片，以及位于基片的光刻工艺层上的至少一个第一对称图形，以及位于基片的光刻工艺层上的至少一个第二对称图形，所述第一对称图形和所述第二对称图形的数量相同，一个第一对称图形与一个第二对称图形组成一组，同组中的第一对称图形与第二对称图形位于不同的光刻工艺层，由不同组中的第二对称图形形成的区域相互之间不重叠，由不同组中的第一对称图形形成的区域和由不同组中的第二对称图形形成的区域相互之间不重叠；

由每组中的第二对称图形形成的区域沿着该组中的第一对称图形的第一对称轴方向将由该组中的第一对称图形形成的区域分隔为两个部分，所述两个部分沿着该组中的第一对称图形的第一对称轴方向上的两端中最多有一端相连；每组中的第二对称图形的一个对称轴和该组中的第一对称图形的第一对称轴平行。

2.如权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述两个部分不会电导通。

3.如权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述两个部分中的任意一个部分中的不相连端沿着垂直于该组中的第一对称图形的第一对称轴方向的长度，和该组中的第一对称图形所在的光刻工艺层与该组中的第二对称图形所在的光刻工艺层沿着该方向的最大可容忍对准偏差的比值不大于第一阈值。

4.如权利要求3所述的测试装置，其特征在于，由每组中的第一对称图形形成的区域的深度，小于所述两个部分中的任意一个部分中的不相连端沿着垂直于该组中的第一对称图形的第一对称轴方向的长度。

5.如权利要求1所述的测试装置，其特征在于，每组中的第一对称图形与该组中的第二对称图形的重叠区域沿着该组中的第一对称图形的第一对称轴方向的长度，大于所述两个部分中的任意一个部分中的不相连端沿着垂直于该组中的第一对称图形的第一对称轴方向的长度。

6.如权利要求1所述的测试装置，其特征在于，由同一组中的第一对称图形形成的区域和由该组中的第二对称图形形成的区域均为掺杂区域。

7.如权利要求1所述的测试装置，其特征在于，由同一组中的第一对称图形形成的区域为离子注入区域，由该组中的第二对称图形形成的区域为注入阻挡区域。

8.一种使用权利要求1-7任一所述的测试装置测量对准偏差的方法，其特征在于，包括：

针对同一组中的第一对称图形和第二对称图；若将由该第一对称图形形成的区域分隔得到的两个部分不相连，则分别测量这两个部分沿着该组中的第一对称图形的第一对称轴方向的电阻；

若将由该第一对称图形形成的区域分隔得到的两个部分沿着该第一对称图形的第一对称轴方向上的两端中有一端相连，测量这两个部分中的第一部分的不相连端与第一测量点之间沿着该第一对称图形的第一对称轴方向上的电阻，所述第一测量点沿着该方向与第一部分中的不相连端的距离不小于该第一对称图形与该第二对称图形的重叠区域沿着该方向的长度，不大于由该第一对称图形形成的区域沿着该方向的长度；并测量两个部分中的第二部分的不相连端与第二测量点之间沿着该第一对称图形的第一对称轴方向上的电阻，所述第二测量点沿着该方向与第二部分中的不相连端的距离不小于该第一对称图形与该第二对称图形的重叠区域沿着该方向的长度，不大于由该第一对称图形形成的区域沿着该方向的长度；所述第一测量点沿着该方向与第一部分中的不相连端的距离等于所述第二测量点沿着该方向与第二部分中的不相连端的距离；

根据测量得到的电阻的差值，确定该第一对称图形所在的光刻工艺层与该第二对称图形所在的光刻工艺层沿着垂直于该第一对称图形的第一对称轴方向的对准偏差。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，根据下列公式确定该第一对称图形所在的光刻工艺层与该第二对称图形所在的光刻工艺层沿着垂直于该第一对称图形的对称轴方向的对准偏差：

ΔX=ρld(1R1-1R2).]]>

其中，ρ为由该第一对称图形形成的区域的电阻率；d为由该第一对称图形形成的区域的深度；R₁为将由该第一对称图形形成的区域分隔得到的两个部分中的一个部分沿着该第一对称图形的第一对称轴方向的电阻；R₂为所述两个部分中的另一个部分沿着该第一对称图形的第一对称轴方向的电阻；若所述两个部分相连，则l不小于第一对称图形与第二对称图形重叠的区域沿着该方向的长度，不大于该第一对称图形形成的区域沿着该方向的长度；若所述两个部分不相连，则l为该第一对称图形形成的区域沿着该方向的长度。