[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201310022156.5 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103050590A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 孙孝根 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光器件，包括：包括第一氮化物层和在所述第一氮化物层上的第二氮化物层的第一导电型半导体层；在所述第一氮化物层上的具有多个突起的绝缘层；设置在所述绝缘层的所述多个突起之间的空隙；在所述第一导电型半导体层上的有源层；以及在所述有源层上的第二导电型半导体层，其中所述第二氮化物的表面具有不均匀的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：包括第一氮化物层和在所述第一氮化物层上的第二氮化物层的第一导电型半导体层；在所述第一氮化物层上的具有多个突起的绝缘层；设置在所述绝缘层的所述多个突起之间的空隙；在所述第一导电型半导体层上的有源层；以及在所述有源层上的第二导电型半导体层，其中所述第二氮化物的表面具有不均匀的形状。
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