[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310018356.3 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103367420A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 小谷淳二 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的电子传输层和电子供给层；形成在电子供给层上的栅电极、源电极和漏电极；以及包埋电极，该包埋电极被提供独立于栅电极、源电极和漏电极的电位以控制缓冲层的电位。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的电子传输层和电子供给层；形成在所述电子供给层上的栅电极、源电极和漏电极；以及包埋电极，所述包埋电极被提供有独立于所述栅电极、所述源电极和所述漏电极的电位以控制所述缓冲层的电位。
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