[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310018356.3 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103367420A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 小谷淳二 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体器件，包括：
衬底；
形成在所述衬底上的缓冲层；
形成在所述缓冲层上的电子传输层和电子供给层；
形成在所述电子供给层上的栅电极、源电极和漏电极；以及
包埋电极，所述包埋电极被提供有独立于所述栅电极、所述源电极和所述漏电极的电位以控制所述缓冲层的电位。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括：
抑制来自所述包埋电极的原子扩散的绝缘膜。
3.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，
其中所述绝缘膜覆盖所述包埋电极的整个表面。
4.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，
其中在所述电子传输层中产生二维电子气的区域的整个下方形成所述绝缘膜。
5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，
其中所述包埋电极设置在所述缓冲层的上表面和下表面之间。
6.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，
其中所述包埋电极设置在所述电子传输层的上表面和下表面之间。
7.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，
其中所述包埋电极包括导电化合物半导体层。
8.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，
其中所述包埋电极包括金属层。
9.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，
其中所述包埋电极的一部分用作外部端子。
10.一种高输出放大器，包括：
化合物半导体器件，所述化合物半导体器件包括：
衬底；
形成在所述衬底上的缓冲层；
形成在所述缓冲层上的电子传输层和电子供给层；
形成在所述电子供给层上的栅电极、源电极和漏电极；以及
包埋电极，所述包埋电极被提供有独立于所述栅电极、所述源电极和所述漏电极的电位以控制所述缓冲层的电位。
11.一种用于制造化合物半导体器件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成电子传输层和电子供给层；
在所述电子供给层上形成栅电极、源电极和漏电极；以及
形成包埋电极，所述包埋电极被提供独立于所述栅电极、所述源电极和所述漏电极的电位以控制所述缓冲层的电位。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括：
形成抑制来自所述包埋电极的原子扩散的绝缘膜。
13.根据权利要求12所述的方法，
其中所述绝缘膜形成为覆盖所述包埋电极的整个表面。
14.根据权利要求12所述的方法，
其中在所述电子传输层中产生二维电子气的区域的整个下方形成所述绝缘膜。
15.根据权利要求11所述的方法，
其中所述包埋电极设置在所述缓冲层的上表面和下表面之间。
16.根据权利要求11所述的方法，
其中所述包埋电极设置在所述电子传输层的上表面和下表面之间。
17.根据权利要求11所述的方法，
其中所述包埋电极包括导电化合物半导体层。
18.根据权利要求11所述的方法，
其中所述包埋电极包括金属层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310018356.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有陶瓷隔离板的LED灯泡
- 下一篇：一种带稳压功能的LED光源
- 同类专利
- 专利分类
