[发明专利]具有铜内部互连的半导体设备及其制造方法有效
| 申请号： | 201310017487.X | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103219279A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 张洵渊;H·金 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供具有铜内部互连的半导体设备及其制造方法。在一具体实施例中，在例如经前段加工的基板上制成有铜内部互连的半导体设备。该方法包括：形成铜层于基板上。该铜层由晶粒形成。该铜层经改质使得该经改质的铜层有约0.05微米以上的平均粒径。在该方法中，蚀刻该经改质的铜层以形成沿着该基板的线路以及由该线路向上延伸的通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 内部 互连 半导体设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造具有铜内部互连的半导体设备的方法，该方法包括：形成铜层于基板上，其中，该铜层由晶粒形成；改质该铜层，其中，该经改质的铜层具有约0.05微米以上的平均粒径；以及蚀刻该经改质的铜层，以形成沿着该基板的线路及由该线路向上延伸的通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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