[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310014872.9 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103928334B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例器件可以包括衬底，衬底中形成有阱区，所述阱区包括第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分掺杂浓度较低，且更接近衬底的表面；在衬底的表面上形成的鳍状结构；在衬底的表面上形成的隔离层，该隔离层露出鳍状结构的一部分，鳍状结构的露出部分用作该半导体器件的鳍；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠，其中，仅在鳍与栅堆叠相交的部分下方的区域中形成有穿通阻挡部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底中形成阱区，所述阱区包括第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分掺杂浓度较低，且更接近衬底的表面；在衬底的表面上形成鳍状结构；在衬底的表面上形成隔离层，隔离层露出鳍状结构的一部分，鳍状结构的露出部分用作该半导体器件的鳍；在隔离层上形成牺牲栅导体层，所述牺牲栅导体层经由牺牲栅介质层与鳍状结构相交；在牺牲栅导体层的侧壁上形成栅侧墙；在隔离层上形成电介质层，并对电介质层进行平坦化，以露出牺牲栅导体层；选择性地去除牺牲栅导体层，从而在栅侧墙内侧形成栅槽；经由栅槽，以自对准方式在鳍下方的区域中形成穿通阻挡部；以及在栅槽中形成栅导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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