[发明专利]一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法

摘要

本发明涉及影像传感器制造领域，具体涉及一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法。包括对晶圆表面氧化物进行刻蚀,至露出四乙氧基硅层;在表面上淀积一层隔离氧化层;淀积一层金属硬掩膜;将金属硬掩膜刻蚀出开口;在金属硬掩膜上涂抹光刻胶，并刻蚀掉金属硬掩膜开口上方的光刻胶；进行深通孔刻蚀至逻辑晶圆顶层金属上覆盖的氮化硅层;清除深通孔刻蚀后剩余金属硬掩膜;对通孔进行底部抗反射介质填充,并对所述底部抗反射介质进行刻蚀;使用光刻确定沟槽刻蚀的沟槽尺寸;进行沟槽刻蚀,至露出器件晶圆顶层金属和逻辑晶圆顶层金属。在使用本发明方法能通过金属硬掩膜方法有效解决现有技术中背照式影像传感器由于其尺寸小而造成制作困难的问题。

主权项

一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法，其特征是：包括以下步骤,步骤一,器件晶圆与逻辑晶圆键合后，对晶圆表面氧化物进行刻蚀,至露出四乙氧基硅层;步骤二,在刻蚀后的表面上淀积一层隔离氧化层;步骤三,在隔离氧化层上淀积一层金属硬掩膜;步骤四,将金属硬掩膜刻蚀出开口;步骤五，在金属硬掩膜上涂抹光刻胶，并刻蚀掉金属硬掩膜开口上方的光刻胶；步骤六,通过刻蚀出的开口进行深通孔刻蚀至逻辑晶圆顶层金属上覆盖的氮化硅层;步骤七,清除深通孔刻蚀后剩余金属硬掩膜;步骤八,对通孔进行底部抗反射介质填充,并对所述底部抗反射介质进行刻蚀;步骤九,使用光刻确定沟槽刻蚀的沟槽尺寸;步骤十,进行沟槽刻蚀,至露出器件晶圆顶层金属和逻辑晶圆顶层金属。