[发明专利]一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法

权利要求书

1.一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法，其特征是：包括以下步骤,

步骤一,器件晶圆与逻辑晶圆键合后，对晶圆表面氧化物进行刻蚀,至露出四乙氧基硅层;

步骤二,在刻蚀后的表面上淀积一层隔离氧化层;

步骤三,在隔离氧化层上淀积一层金属硬掩膜;

步骤四,将金属硬掩膜刻蚀出开口;

步骤五，在金属硬掩膜上涂抹光刻胶，并刻蚀掉金属硬掩膜开口上方的光刻胶；

步骤六,通过刻蚀出的开口进行深通孔刻蚀至逻辑晶圆顶层金属上覆盖的氮化硅层;

步骤七,清除深通孔刻蚀后剩余金属硬掩膜;

步骤八,对通孔进行底部抗反射介质填充,并对所述底部抗反射介质进行刻蚀;

步骤九,使用光刻确定沟槽刻蚀的沟槽尺寸;

步骤十,进行沟槽刻蚀,至露出器件晶圆顶层金属和逻辑晶圆顶层金属。

2.根据权利要求1所述的一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法,其特征是：所述金属硬掩膜为氮化钛膜。

3.根据权利要求1所述的一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法,其特征是：所述深通孔刻蚀过程中需刻蚀四乙氧基硅层、层间氧化物层和由含碳氮化硅层以及黑钻石层组成的阻挡层。

4.根据权利要求3所述的一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法,其特征是：所述金属硬掩膜为氮化钛膜,所述阻挡层中黑钻石与氮化钛的刻蚀选择比为二十比一。

5.根据权利要求4所述的一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法,其特征是：所述层间氧化物层与光刻胶的刻蚀选择比为六比一，所述氮化硅与光刻胶的刻蚀选择比为六比一。

6.根据权利要求4所述的一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法,其特征是：所述刻蚀选择比为在同等条件下，对两种材料进行刻蚀，刻蚀相同时间后刻蚀掉两种材料的深度的比值。

7.根据权利要求1所述的一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法,其特征是：所述步骤一中对晶圆表面的刻蚀方式为等离子体刻蚀。

8.根据权利要求1所述的一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法,其特征是：所述淀积的金属硬掩膜厚度为1000埃以上。

9.根据权利要求1所述的一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法,其特征是：所述深通孔前涂抹的光刻胶厚度为6000埃以上。

10.根据权利要求1所述的一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法,其特征是：所述深通孔刻蚀的刻蚀深度为44000至47000埃，所述沟槽刻蚀的刻蚀深度为20000至22000埃。