[发明专利]一种阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201310011529.9 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103928453A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 郭建 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张颖玲;王黎延 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板，包括周边布线区，所述周边布线区包括防静电释放区域，所述防静电释放区域包括基板，形成在所述基板上的栅线、栅绝缘层、数据线、保护层和透明电极，其中，所述栅绝缘层上形成有第一过孔，所述保护层上与所述第一过孔对应的位置上形成有第二过孔，所述栅线、数据线和透明电极通过所述第一过孔和第二过孔连接。本发明还公开了一种阵列基板的制造方法，采用该方法制造的上述阵列基板结构能有效避免底层金属的过刻现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括周边布线区，所述周边布线区包括防静电释放区域，所述防静电释放区域包括基板，形成在所述基板上的栅线、栅绝缘层、数据线、保护层和透明电极，其特征在于，所述栅绝缘层上形成有第一过孔，所述保护层上与所述第一过孔对应的位置上形成有第二过孔，所述栅线、数据线和透明电极通过所述第一过孔和第二过孔连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
