[发明专利]发光器件封装在审

专利信息
申请号: 201310010332.3 申请日: 2013-01-11
公开(公告)号: CN103208580A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 权知娜 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/56 分类号: H01L33/56;H01L33/50;G09F9/35
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张浴月;李玉锁
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种发光器件封装。该发光器件封装包括:发光器件;主体,包括电连接至所述发光器件的第一和第二引线框,且具有形成在所述第一和第二引线框上的凹部;以及树脂材料,填充所述凹部且包括具有乙烯基(-CH=CH2)的主材和具有多个硅烷基(Si-H)的辅材。在所述树脂材料中,所述乙烯基和所述硅烷基通过固化彼此交联。根据FT-IR信号,未与所述乙烯基(-CH=CH2)反应的硅烷基(Si-H)的光密度(吸光度)在0.0002到0.0l(任意单位)的范围内。
搜索关键词: 发光 器件 封装
【主权项】:
一种发光器件封装,包括:光源单元;主体,包括电连接至所述光源单元的第一和第二引线框,且具有形成在所述第一和第二引线框上的凹部;以及树脂材料,设置在所述凹部中且包括具有乙烯基(‑CH=CH2)的主材和具有多个硅烷基(Si‑H)的辅材,其中所述乙烯基(‑CH=CH2)和所述硅烷基(Si‑H)彼此键合,其中用于所述多个硅烷基(Si‑H)中未与所述乙烯基(‑CH=CH2)反应的硅烷基(Si‑H)的傅里叶变换红外光谱FT‑IR信号的光密度(吸光度)在0.0002到0.01(任意单位)的范围内。
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