[发明专利]发光器件封装在审
| 申请号： | 201310010332.3 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103208580A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 权知娜 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/56 | 分类号： | H01L33/56;H01L33/50;G09F9/35 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;李玉锁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 封装 | ||
1.一种发光器件封装，包括：
光源单元；
主体，包括电连接至所述光源单元的第一和第二引线框，且具有形成在所述第一和第二引线框上的凹部；以及
树脂材料，设置在所述凹部中且包括具有乙烯基(-CH＝CH2)的主材和具有多个硅烷基(Si-H)的辅材，其中所述乙烯基(-CH＝CH2)和所述硅烷基(Si-H)彼此键合，
其中用于所述多个硅烷基(Si-H)中未与所述乙烯基(-CH＝CH2)反应的硅烷基(Si-H)的傅里叶变换红外光谱FT-IR信号的光密度(吸光度)在0.0002到0.01(任意单位)的范围内。
2.一种发光器件封装，包括：
光源单元；
主体，包括电连接至所述光源单元的第一和第二引线框，且具有形成在所述第一和第二引线框上的凹部；以及
树脂材料，设置在所述凹部中且包括具有乙烯基(-CH＝CH2)的主材和具有多个硅烷基(Si-H)的辅材，其中所述乙烯基(-CH＝CH2)和所述硅烷基(Si-H)彼此键合，
其中用于未与所述乙烯基反应的硅烷基(Si-H)的傅里叶变换红外光谱FT-IR信号的光密度(吸光度)在第一波数范围中处于0.0002到0.004(任意单位)的范围内，并且
所述光密度在不同于所述第一波数范围的第二波数范围中处于0.005到0.01(任意单位)的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件封装，其中包含的所述多个硅烷基在数量上为所述乙烯基的数量的0.7到0.9倍。
4.根据权利要求1或2所述的发光器件封装，其中所述树脂材料包括增进所述乙烯基和所述硅烷基之间的结合的催化剂。
5.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中所述第一波数范围在2100到2200cm-1的范围内。
6.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中所述第二波数范围在870到930cm-1的范围内。
7.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中在所述第一波数范围内所述未反应的硅烷基的光密度根据所述未反应的硅烷基Si-H的伸缩振动来匹配峰值。
8.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中在所述第二波数范围内所述未反应的硅烷基的光密度根据所述未反应的硅烷基Si-H的弯曲振动来匹配峰值。
9.根据权利要求1或2所述的发光器件封装，其中所述树脂材料还包括荧光物质。
10.根据权利要求1或2所述的发光器件封装，其中所述树脂材料包括光扩散材料或光散射材料。
11.根据权利要求1或2所述的发光器件封装，其中所述树脂材料包括透光材料。
12.根据权利要求1或2所述的发光器件封装，其中所述光源单元包括发光器件。
13.根据权利要求1或2所述的发光器件封装，其中所述树脂材料形成为具有多层结构。
14.根据权利要求1或2所述的发光器件封装，其中所述树脂材料包括有机聚硅氧烷。
15.根据权利要求1或2所述的发光器件封装，其中所述树脂材料包括聚硅氧烷。
16.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中所述催化剂为铂(Pt)。
17.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述未反应的硅烷基的光密度在所述FT-IR信号的第一和第二波数范围之间彼此不同。
18.一种显示装置，其使用根据权利要求1或2所述的发光器件封装。
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