[发明专利]用于MOS晶体管的设备和方法有效
| 申请号： | 201310001060.0 | 申请日： | 2013-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN103531629B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 周学良;伍震威;苏柏智;柳瑞兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及了一种MOS晶体管，其包括第一导电性的衬底、形成在该衬底上方的第一导电性的第一区域、形成在第一区域中的第一导电性的第二区域、形成在第二区域中的第二导电性的第一漏极/源极区域、第二导电性的第二漏极/源极区域、以及第一导电性的主体接触区域，其中，从上向下看去，该主体接触区域和第一漏极/源极区域以交替的方式形成。本发明还提供了一种用于MOS晶体管的设备和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mos 晶体管 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电性的衬底；所述第一导电性的第一区域，形成在所述衬底上方；所述第一导电性的第二区域，形成在所述第一区域中，其中，所述第二区域的掺杂密度高于所述第一区域的掺杂密度；第二导电性的第一漏极/源极区域，形成在所述第二区域中；所述第二导电性的第二漏极/源极区域，形成在所述衬底中并且远离所述第一源极/漏极区域，其中，第一导电性类型掺杂密度从所述第一源极/漏极区域到第二源极/漏极区域逐渐下降；以及所述第一导电性的拾取区域，形成在所述第二区域中并且邻近所述第一漏极/源极区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310001060.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
