[发明专利]用于MOS晶体管的设备和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电性的衬底；

所述第一导电性的第一区域，形成在所述衬底上方；

所述第一导电性的第二区域，形成在所述第一区域中，其中，所述第二区域的掺杂密度高于所述第一区域的掺杂密度；

第二导电性的第一漏极/源极区域，形成在所述第二区域中；

所述第二导电性的第二漏极/源极区域，形成在所述衬底中并且远离所述第一源极/漏极区域；以及

所述第一导电性的拾取区域，形成在所述第二区域中并且邻近所述第一漏极/源极区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

所述第一导电性的主体接触区域，其中，从上向下看去，所述主体接触区域和所述第一漏极/源极区域以交替方式形成。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一漏极/源极区域与所述主体接触区域的比例在10∶1至大约2∶1的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

栅电极，形成在所述第一漏极/源极区域和所述第二漏极/源极区域之间。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：

第一轻掺杂漏极/源极区域，形成为与所述第二区域中的所述第一漏极/源极区域邻近。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：

第二轻掺杂漏极/源极区域，形成为与所述衬底中的所述第二漏极/源极区域邻近，其中，所述第二轻掺杂的漏极/源极区域位于所述栅电极下方。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：

相对于所述栅电极对称的第一轻掺杂漏极/源极区域和第二轻掺杂漏极/源极区域。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一漏极/源极区域和所述拾取区域由电介质隔离部件分隔开。

9.一种器件，包括：

第一导电性的衬底；

栅电极，位于所述衬底上方；

第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域，在所述衬底中设置在所述栅电极的相对侧，其中，所述第一漏极/源极区域和所述第二漏极/源极区域具有第二导电性；

第一掺杂阱，具有所述第一导电性，形成在所述第一漏极/源极区域下方；

第二掺杂阱，具有所述第一导电性，形成在所述第一漏极/源极区域下方，其中，所述第一掺杂阱嵌在所述第二掺杂阱中，并且所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱被配置成使得掺杂密度从所述第一漏极/源极区域到所述第二漏极/源极区域逐渐减小；以及

所述第一导电性的主体接触区域，形成为与所述衬底中的所述第一漏极/源极区域邻近，其中，从上向下看去，所述主体接触区域和所述第一漏极/源极区域以交替的方式形成。

10.一种晶体管，包括：

第一晶体管，包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一主体接触件，其中：

从上向下看去，所述第一主体接触件和所述第一源极以交替方式形成；并且

所述第一源极形成在第一堆叠阱区域中，其中，所述第一堆叠阱区域包括：

第一导电性的第一区域，形成在所述第一导电性的衬底上方；和

所述第一导电性的第二区域，嵌在所述第一区域中；

第二晶体管，包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二主体接触件，其中，所述第一漏极和所述第二漏极连接在一起，并且其中：

从上向下看去，所述第二主体接触件和所述第二源极以交替的方式形成；并且

所述第二源极形成在第二堆叠阱区域中，其中，所述堆叠阱区域包括：

所述第一导电性的第三区域，形成在所述衬底上方；和

所述第一导电性的第四区域，嵌在所述第三区域中；以及

主体拾取环，围绕所述第一晶体管和所述第二晶体管。