[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供的半导体装置及半导体装置的制造方法中，n^-型晶片从正面侧起依次设有n^-漂移区(2)、n场阻断区(3)以及n^-型FZ晶片(1)。终端构造部(26)设置于n^-型晶片的各个成为芯片的区域的芯片外周部(B)中，并将芯片内周部(A)中的活性区(27)包围。通过形成从n^-型晶片的背面到达n场阻断区(3)的沟槽(25)，从而使芯片内周部(A)的厚度(ta)小于芯片外周部(B)的厚度(tb)。p集电极区(11)与n^-型FZ晶片(1)及n场阻断区(3)连接。集电极电极(12)与p集电极区(11)连接。终端构造部(26)中的集电极电极(12)与n场阻断区(3)之间的第2距离(x1b)，大于活性区(27)中的集电极电极(12)与n场阻断区(3)之间的第1距离(x1a)。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型芯片，其由第1个第1导电型半导体区域、第2个第1导电型半导体区域以及第3个第1导电型半导体区域构成，其中，所述第3个第1导电型半导体区域设置于所述第1个第1导电型半导体区域与所述第2个第1导电型半导体区域之间，并且电阻率低于所述第2个第1导电型半导体区域；沟槽，其贯穿所述第1个第1导电型半导体区域并到达所述第3个第1导电型半导体区域；活性区，其设置于所述第1导电型芯片的内周部中，其中，通过形成所述沟槽而使所述第1导电型芯片的内周部的厚度小于外周部；终端构造部，其设置于所述第1导电型芯片的外周部上并用于保持耐压；第2导电型半导体区域，其与所述第3个第1导电型半导体区域及所述第1个第1导电型半导体区域连接；以及输出电极，其与所述第2导电型半导体区域连接，所述输出电极与所述第3个第1导电型半导体区域在所述第1导电型芯片的厚度方向上的距离在所述终端构造部中大于在所述活性区中。