[发明专利]半导体发光元件

摘要

本发明的半导体发光元件，具备电极(8)、活性层(3)、光子晶体层(4)、电极(9)，活性层(3)和电极(8)之间、以及活性层(3)和电极(9)之间彼此导电类型不同，电极(8)具有开口部(8a)，电极(8)、活性层(3)、光子晶体层(4)、电极(9)沿X轴层叠，X轴通过从该X轴的轴线方向看到的开口部(8a)的中央部(8a2)，电极(9)具有从X轴的轴线方向看位于Y轴方向的相反方向的端部(9e1)、和位于Y轴方向的端部(9e2)，开口部(8a)具有从X轴看位于Y轴方向的相反方向的端部(8e1)和位于Y轴方向的端部(8e2)，电极(9)的端部(9e1)和开口部(8a)的端部(8e1)，从X轴的轴线方向看大致一致。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，具备第1电极、III‑V族化合物半导体的半导体部、以及第2电极，所述半导体部设置于第1电极和第2电极之间，所述半导体部具有活性层和光子晶体层，所述光子晶体层被设置于所述活性层和所述第1电极之间，或者被设置于所述活性层和所述第2电极之间，所述活性层和所述第1电极之间、以及、所述活性层和所述第2电极之间彼此导电类型不同，所述第1电极具有开口部，在所述光子晶体层被设置于所述活性层和所述第1电极之间的情况下，所述第1电极、所述光子晶体层、所述活性层和所述第2电极沿着基准轴层叠，在所述光子晶体层被设置于所述活性层和所述第2电极之间的情况下，所述第1电极、所述活性层、所述光子晶体层和所述第2电极沿着所述基准轴层叠，所述基准轴通过从该基准轴的轴线方向看到的所述开口部的中央部，所述第2电极具有从所述基准轴的轴线方向看位于第1方向上的第1端部、和位于作为所述第1方向的相反方向的第2方向上的第2端部，所述第1方向是与所述基准轴的轴线方向正交的方向，所述开口部具有从所述基准轴的轴线方向看位于所述第1方向上的第3端部、和位于所述第2方向上的第4端部，所述第2电极的所述第1端部和所述开口部的所述第3端部从所述基准轴的轴线方向看一致，所述第2电极的所述第2端部和所述开口部的所述第4端部从所述基准轴的轴线方向看一致。