[发明专利]半导体发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体发光元件。

背景技术

专利文献1中，公开了具备二维光子晶体构造的面发光激光光源。专利文献1的面发光激光光源具备形成了不具有电极材料的开口的窗状电极、活性层、面积比窗状电极的开口小的矩形形状的背面电极。窗状电极设在元件基板的光出射侧。背面电极设在窗状电极的相反侧的安装面。从窗状电极和背面电极向活性层供给电流。背面电极和活性层的距离比元件基板和活性层的距离小，向活性层的电流的注入范围对应于背面电极的大小。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开WO2007/029538号小册子

非专利文献

非专利文献1：广濑等：“2D光子晶体激光中的非振荡能带的影响”，第59次应用物理学关系联合讲演会预稿集

发明内容

发明所要解决的问题

但是，具备上述那样的光子晶体构造的半导体发光元件中，发明者发现在面垂直方向上出射的线束光的周边部存在极其微弱的噪声图形(非专利文献1)。该噪声图形是，振荡状态的光由于光子晶体的扰乱等而受到非弹性散射，并由光子晶体进行衍射而生成的。发明者对生成该噪声图形的半导体发光元件进行了研究，其结果发现了在电流注入区域外，即没有产生发光的区域中，对应于该噪声图形的光(以下，称为噪声光)发生泄漏。该噪声光，例如在光互连由多通道构成的情况下成为向邻接的通道的串扰的原因，所以会产生问题。另外，推定在背面电极的周边所产生的光为噪声光，此处，会有如下问题：如果像专利文献1那样使开口的面积大于背面电极的面积则出射的噪声光增加，相反，如果使背面电极的面积大于开口的面积则不能充分得到光输出。

本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于提供一种例如能够充分得到光输出并能够抑制由光子晶体产生的光噪声的出射的半导体发光元件。

解决问题的技术手段

本发明的一个方面所涉及的半导体发光元件，具备第1电极、III-V族化合物半导体的半导体部、以及第2电极，所述半导体部被设置于第1电极和第2电极之间，所述半导体部具有活性层和光子晶体层，所述光子晶体层被设置于，所述活性层和所述第1电极之间、以及、所述活性层和所述第2电极之间、的任意的位置，所述活性层和所述第1电极之间、以及、所述活性层和所述第2电极之间彼此导电类型不同，所述第1电极具有开口部，所述第1电极、所述活性层、所述光子晶体层和所述第2电极沿着基准轴层叠，所述基准轴通过从该基准轴的轴线方向看到的所述开口部的中央部，所述第2电极具有从所述基准轴的轴线方向看位于第1方向上的第1端部、和位于作为所述第1方向的相反方向的第2方向上的第2端部，所述开口部具有从所述基准轴的轴线方向看位于所述第1方向上的第3端部、和位于所述第2方向上的第4端部，所述第2电极的所述第1端部和所述开口部的所述第3端部从所述基准轴的轴线方向看大致一致。

根据该半导体发光元件，第2电极的端部和开口部的端部，从基准轴的轴线方向看大致一致。因此，仅位于开口部的外周的附件的噪声光被第1电极遮蔽。因此，能够充分得到光输出，并能够抑制由光子晶体产生的噪声光的出射。

另外，本发明的另一方面所涉及的半导体发光元件，具备第1电极、III-V族化合物半导体的半导体部、以及第2电极，所述半导体部被设置于第1电极和第2电极之间，所述半导体部具有活性层和光子晶体层，所述光子晶体层被设置于，所述活性层和所述第1电极之间、以及、所述活性层和所述第2电极之间、的任意的位置，所述活性层和所述第1电极之间、以及、所述活性层和所述第2电极之间彼此导电类型不同，所述第1电极具有开口部，从所述活性层和所述光子晶体层输出而到达所述开口部的光的强度的最小值，不小于从所述活性层和所述光子晶体层输出而到达所述开口部的光的强度的最大值的A％(10≤A≤30)。

根据该半导体发光元件，存在于开口部的外周的微弱的噪声光不通过开口部。因此，能够仅抑制在开口部的外周的噪声光，因此能够充分得到光输出，并且能够抑制由光子晶体产生的噪声光的出射。

另外，本发明的另一方面所涉及的半导体发光元件中，所述第1电极所具有的光的透过强度随着远离所述开口部的外周而减少。因此，能够减小开口部的外缘部分的噪声光的透过强度，因此，能够抑制由光子晶体产生的噪声光的出射。另外，能够抑制由于光强度急剧变化而生成的旁瓣的产生。