[发明专利]通过热处理使表面平滑化的工艺有效
| 申请号： | 201280065068.7 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN104011840B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | T.朱安诺;Y.伯古米罗维茨 | 申请（专利权）人： | 原子能和代替能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/18;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 用于平滑化由半导体合金制造的第一基板(3)的粗糙表面(4)的工艺，该合金基于选自Ga、As、Al、In、P和N的至少两种元素，其通过放置第二基板(6)面对第一基板(3)使得粗糙表面(4)放置为面对第二基板(6)的表面而实现。第一基板(3)和第二基板(6)分开至少10μm的距离d，两个基板(3、6)的面对部分限定限制空间(5)。第一基板(3)然后被加热以部分地解吸所述合金的一种元素，在限制空间(5)中达到该元素的饱和蒸气压，并且获得足以降低粗糙表面(4)的粗糙度的表面原子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 热处理 表面 平滑 工艺 | ||
【主权项】：
一种第一基板(3)的粗糙表面(4)的平滑化工艺，包括如下步骤：提供该第一基板(3)，该第一基板(3)具有该粗糙表面(4)，由半导体合金制造，该半导体合金基于选自Ga、As、Al、In、P和N的至少两种元素；放置第二基板(6)，第二基板(6)具有面对该第一基板(3)的该粗糙表面(4)的表面，该两个基板(3和6)分离的距离d至少等于10μm，该两个基板(3、6)的面对部分限定限制空间(5)；加热该第一基板(3)，以部分地解吸该半导体合金的该元素之一并且在该限制空间(5)中达到该元素的饱和蒸气压，并且获得足以降低该粗糙表面(4)的粗糙度的表面原子迁移率。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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